前言

充電器的快充水平隨著這幾年的高速發展，原有的PD3.0協議的100W輸出上限，限制了100瓦以上的快充產品發展，但接下的PD3.1協議把功率最高定在了240W，刺激了快充市場的進一步飛速發展，同時促進的快充最重的部件之一的氮化鎵芯片的發展，得益於氮化鎵技術的加持，210W的充電器，體積與傳統充電器相當，不僅體積得到有效控制，高轉換效率，也降低了充電器的溫度。

納微半導體牽手小米集團

10月27日，小米旗下 Redmi Note 12 探索版正式發佈，牽手氮化鎵功率芯片行業的領導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS），給大家帶來了210W“神仙秒充”的快充技術充電器，實現9分鐘充滿，成功將快充速度拉到個位數時代。此外還有Redmi Note 12 系列中，Redmi Note 12 Pro+的120W氮化鎵超快充也搭載了納微全新GaNSense™技術的新一代GaNFast™氮化鎵功率芯片。

Redmi Note 12探索版全球首發了聯發科最新的天璣1080芯片，採用了一塊支持120Hz高刷的6.67英寸的類鑽排OLED屏幕。攝像方面採用了前置1600萬像素攝像頭，後置2億主攝的組合，實現了移動影像的新飛躍，再加上配備210W的“神仙秒充”，配置直接堆滿！

作為Redmi Note 12系列的重頭戲，Redmi Note 12探索版配備的210W“神仙秒充”，內置納微NV6127和NV6136A兩顆氮化鎵功率芯片，創新地採用了納微首創的PFC+ACF/QR混合平臺，此平臺前級PFC使用一顆NV6127氮化鎵功率芯片，後級ACF/QR混合採用一顆NV6136A氮化鎵功率芯片，在高頻QR成熟、穩定的控制方式基礎上，增加ACF電路功能，較單獨的QR或ACF平臺，既擁有優異的效率及低電壓應力表現，又具備穩定成熟的控制方式及良好的噪音優化能力，保證發揮“神仙秒充”的全部功力。

210W“神仙秒充”得益於納微半導體的高效氮化鎵芯片。讓該充電器在等效4300mAh電池下，5分鐘就能充至66%，9分鐘即刻充滿，這標誌著手機充電時長成功進入個位數時代。這款具有劃時代意義的210W充電器，尺寸更是驚人，約為67.4×64.69×29.79mm (130cc)，功率密度高達1.62 W/cm³。

同樣作為Redmi Note 12系列中另一款Redmi Note 12 Pro+標配的120W氮化鎵充電器也是內置了納微半導體的一顆NV6136A氮化鎵功率芯片，使用GaNSense™️技術，用於高頻QR拓撲中。成功實現120W充電器的功率密度達到1.25W/cm³，比傳統的硅方案體積縮小了10.8%，尺寸僅為59.4×56.2×28.8mm (96cc)，僅需19分鐘就能將電池快速充滿。

小米集團合夥人、總裁王翔稱“我們很高興再次與納微半導體合作，Redmi Note 12探索版所搭載的210W神仙秒充再次刷新了手機充電體驗，使手機快充時長真正進入了個位數時代。小米始終堅持對產品品質的極致追求，同時也與全球優秀的企業夥伴一起，用創新推動科技產品進步，為消費者帶來更加美好的科技生活體驗。”

納微半導體副總裁兼中國區總經理查瑩傑表示“納微團隊對Redmi手機再次選用納微氮化鎵方案感到由衷自豪和興奮，同時我們也很高興地看到納微首創的PFC+ACF /QR混合平臺不負使命，助力Redmi Note 12 探索版樹立業界新標杆。Electrify Our World™是納微半導體的使命，我們將持續推動氮化鎵技術革新，幫助小米及小米旗下更多品牌的充電產品，打造更領先、更強大、更環保的電源產品。”

關於納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）成立於2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司。GaNFast™氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC™碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過185項已經獲頒或正在申請中的專利，已發貨超過5000萬顆，終端市場故障率為零，於業內率先推出20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral®認證的半導體公司。